- 반도체 8대 공정 -
웨이퍼 제조
- 실리콘으로 만들어진 원형 판을 웨이퍼라고 합니다.
→ 실리콘 용액을 가공하여 실리콘 원통을 만듭니다.
→ 이 원통을 얇게 잘라내면 여러 장의 원형 판이 만들어집니다.
→ 이 원형 판을 웨이퍼라고 합니다.
산화 공정
- 웨이퍼 표면을 산화시켜주는 단계입니다.
→ 웨이퍼 표면에 산소, 수증기를 뿌려 산화 막을 형성 시켜 줍니다.
→ 산화 막은 반도체 제조과정에서 웨이퍼 표면을 보호하고 회로 사이의 누설전류가 흐르는 것을 방지하는 역할을 합니다.
포토 공정
- 회로를 그려주는 단계입니다.
→ 회로 패턴이 담긴 마스크를 웨이퍼에 찍어내기 위해 산화막 위에 빛에 반응하는 물질을 도포합니다.
(목판인쇄술을 생각하시면 됩니다. 목판 : 마스크, 인쇄물 : 웨이퍼)
→ 그 후 마스크에 빛을 통과시키면 웨이퍼 표면에 회로가 새겨지게 됩니다.
→ 사진을 현상하듯 현상액을 뿌려 회로를 그려줍니다.
식각 공정
- 웨이퍼에 그려진 회로 외의 부분을 제거하는 단계입니다.
→ 식각 방법에는 액체를 사용하는 습식 식각, 기체를 사용하는 건식 식각이 있습니다.
- 습식 식각 : 액체를 이용하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거하는 방법 (비교적 빠른 식각)
- 건식 시각 : 이온을 이용하여 웨이퍼 표면을 식각하는 방법 (비교적 정교한 식각)
증착 및 이온 주입 공정
- 회로를 보호하고 전류를 흐르게 하는 단계입니다.
→ 회로끼리 구분하고 보호하기 위해 절연막이 필요합니다.
→ 따라서 박막이라는 얇은 막을 입히는 작업인 증착 작업을 진행합니다.
→ 하지만 아직 규소로만 이루어져 있기 때문에 불순물(이온)을 넣어 전류를 흐르게 해야 합니다.
금속 배선 공정
- 회로에 금속 배선을 증착 시켜주는 단계입니다.
→ 회로를 동작시키기 위해서는 전기적 신호가 필요합니다.
→ 이를 위해 알루미늄 같은 금속재료를 이용하여 얇은 금속 막을 증착 시켜줍니다.
eds 공정
- 각 칩의 품질을 테스트하는 과정으로 테스트를 통해 불량품이 없는지 구분해 내는 작업입니다.
→ 불량품 구분
→ 불량품 fix 가능 여부 판단 후 fix
→ 패키지 공정 효율 향상 목적
패키지 공정
- 완성된 웨이퍼 칩을 하나씩 잘라내 전자기기에 넣을 수 있는 형태로 만들어주는 과정입니다.
→ 웨이퍼 절단
→ 리드 프레임에 접착
→ 와이어 bonding
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