- 반도체 8대 공정 -


웨이퍼 제조

 

- 실리콘으로 만들어진 원형 판을 웨이퍼라고 합니다.

  → 실리콘 용액을 가공하여 실리콘 원통을 만듭니다.

  이 원통을 얇게 잘라내면 여러 장의 원형 판이 만들어집니다.

  이 원형 판을 웨이퍼라고 합니다.

 

 

 

산화 공정

 

- 웨이퍼 표면을 산화시켜주는 단계입니다.

  웨이퍼 표면에 산소, 수증기를 뿌려 산화 막을 형성 시켜 줍니다.

  산화 막은 반도체 제조과정에서 웨이퍼 표면을 보호하고 회로 사이의 누설전류가 흐르는 것을 방지하는 역할을 합니다.

 

 

 

 

포토 공

 

- 회로를 그려주는 단계입니다.

  회로 패턴이 담긴 마스크를 웨이퍼에 찍어내기 위해 산화막 위에 빛에 반응하는 물질을 도포합니다.

      (목판인쇄술을 생각하시면 됩니다. 목판 : 마스크, 인쇄물 : 웨이퍼)

  그 후 마스크에 빛을 통과시키면 웨이퍼 표면에 회로가 새겨지게 됩니다.

  사진을 현상하듯 현상액을 뿌려 회로를 그려줍니다.

 

 

 

식각 공정

 

- 웨이퍼에 그려진 회로 외의 부분을 제거하는 단계입니다.

  식각 방법에는 액체를 사용하는 습식 식각, 기체를 사용하는 건식 식각이 있습니다.

  • 습식 식각 : 액체를 이용하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거하는 방법 (비교적 빠른 식각)
  • 건식 시각 : 이온을 이용하여 웨이퍼 표면을 식각하는 방법 (비교적 정교한 식각)

 

 

증착 및 이온 주입 공정

 

- 회로를 보호하고 전류를 흐르게 하는 단계입니다.

  회로끼리 구분하고 보호하기 위해 절연막이 필요합니다.

  따라서 박막이라는 얇은 막을 입히는 작업인 증착 작업을 진행합니다.

  하지만 아직 규소로만 이루어져 있기 때문에 불순물(이온)을 넣어 전류를 흐르게 해야 합니다.

 

 

 

금속 배선 공정

 

- 회로에 금속 배선을 증착 시켜주는 단계입니다.

  회로를 동작시키기 위해서는 전기적 신호가 필요합니다.

  이를 위해 알루미늄 같은 금속재료를 이용하여 얇은 금속 막을 증착 시켜줍니다.

 

 

 

eds 공정

 

- 각 칩의 품질을 테스트하는 과정으로 테스트를 통해 불량품이 없는지 구분해 내는 작업입니다.

  → 불량품 구분

  → 불량품 fix 가능 여부 판단 후 fix

  → 패키지 공정 효율 향상 목적

 

 

 

패키지 공정

 

- 완성된 웨이퍼 칩을 하나씩 잘라내 전자기기에 넣을 수 있는 형태로 만들어주는 과정입니다.

  → 웨이퍼 절단

  → 리드 프레임에 접착

  → 와이어 bonding

 

 

 

 
 
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