[반도체 사전] 반도체 용어 정리 (E~I)

- 반도체 용어 정리 (E~I) -

 

Element

- 소자 또는 부품

 

Epoxy

- 열경화성 플라스틱. 열에 강하고 접착력이 강함

 

Equipment

- 기계류 장비

 

ESD(Electro Static Discharge)

- 정전기를 어느 정도까지 견딜 수 있는지를 나타내는 것

 

Etch

- 웨이퍼 위에 형성된 박막을 깎는 과정

 

ETM(Extracted Timing Models)

- sub block을 추상화한 model

- sub block 단계에서 timing 조건에 충족했다면

  chip top level에서 해당 block의 내부 timing 정보가 필요하지 않기 때문에

  ETM을 생성하여 chip top의 timing 분석 시간을 줄이기 위해 사용

 

FAB

- 웨이퍼를 가공하는 것

 

Fabless

- 반도체를 설계하는 업체, 반도체 공정이 불가능한 업체

  ex) intel

 

FET

- 단극성 트랜지스터. 전자와 정공 중 하나만 전류로 이용. 전압으로 전류를 제어

 

Flip Flop

- 데이터를 저장할 수 있는 레지스터

 

Foundry

- 반도체 제조설비가 가능한 업체

  ex) 삼성, TSMC

  

FPGA

- 프로그래밍이 가능한 반도체 소자

 

GaAs(Gallium Arsenide)

- 화합물 반도체. 실리콘보다 전자 이동이 빨라 초고속 장치에 사용됨

 

Germanium

- 게르마늄. 반도체 재료로 사용되는 물질

 

IBIS(In(out)put Buffer Information Specification)

- simulation에서 in(out)put buffer의 값을 알 수 있는 model

 

IC(Integrated Circuit)

- 집적회로. 2개 이상의 회로를 기판에 집적하여 연결시킨 회로

 

IDM(Integrated Device Manufacturing)

- 종합 반도체 업체

  ex) 삼성

 

Implanting

- 웨이퍼에 불순물을 주입시키는 장치

 

Ingot

- 실리콘 기둥. 고온에서 실리콘을 녹여 기둥 모양의 단결정으로 응고시키는 것

 

Injection

- 캐리어가 고밀도에서 저밀도로 이동하는 현상

 

I/O(Input Output)

- 데이터의 입출력

 

Ionizer

- 정전기를 제거하는 장치

- 이온을 정전기의 반대 극성으로 방출시켜 중화 소멸

 

Ion Implantation

- 이온을 주입하는 것

- 반도체 소자에 원하는 전기적 특성을 가지게 하기 위해 기판 위에 특정 극성의 이온을 주입 시킴

 

IR drop

- chip의 power는 metal을 통해 cell에 전달 

  이때 metal layer, wire 등을 통해 다른 cell로 전해지는데

  metal layer, wire의 저항 때문에 전압이 떨어져 전해지는 것을 의미

 

Isolation

- 소자 분리하여 고립시키는 것