- 메모리 반도체란? -
전기적으로 반도체 회로를 제어하여 데이터를 저장하는 반도체
ROM(Read Only Memory)
: 비휘발성 메모리. 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 사라지지 않는 메모리
Mask ROM
: 메모리를 제조하는 과정에서 데이터를 미리 저장시켜 사용자가 내용을 변경할 수 없는 ROM
- 저장된 내용을 조금이라도 바꾸려면 다시 제작해야 합니다.
- 대량생산을 하게 되면 비교적 가격이 저렴합니다.
- 따라서 내용을 바꿀 일이 없고 대량생산이 필요한 곳에 사용됩니다.
-> 비디오카드, 프린터의 폰트, 키보드 바이어스 등
OTPROM(One time Programmable ROM)
: 1번만 프로그래밍이 가능한 ROM
- 데이터가 없는 상태로 제작되어 사용자가 내용을 써넣을 수 있도록 만들었습니다.
- 한 번만 수정이 가능하기 때문에 내용을 잘못 썼다면 chip 자체를 버려야 합니다.
- 센서, 암호화 키 등에 사용됩니다.
EPROM(Erasable PROM)
: 저장된 데이터를 지우고, 다시 쓸 수 있는 ROM
-> 데이터를 지우는 방식에 따라 EEPROM과 UVEPROM으로 나뉘게 됩니다.
UVEPROM(Ultra-Violet EPROM)
: 자외선을 이용하여 데이터를 지울 수 있는 EPROM
- EEPROM에 비해 가격이 저렴하고 쓰기/지우기 속도가 빠릅니다.
- 자외선을 이용하는 방법의 번거로움 때문에 현재는 거의 사용하지 않습니다.
EEPROM(Electrically Erasable PROM)
: 고전압을 이용하여 데이터를 지울 수 있는 EPROM
- 한 번에 1byte씩만 지울 수 있기 때문에 비교적 느립니다.
-> 메인 메모리로 사용되는 것이 아닌 데이터를 백업하는 데 사용하는 것이 효율적입니다.
- 데이터 재기록을 반복하다 보면 절연층이 손상될 수 있기 때문에 영구적으로 가능하지는 않습니다.
- UVEPROM에 비해 가격이 비싸고 쓰기/지우기 속도가 느립니다.
RAM(Random Access Memory)
: 휘발성 메모리. 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 사라지는 메모리
SRAM(Static RAM)
: 정적 메모리. flip flop 방식을 사용하는 RAM
- flip flop을 사용하기 때문에 전원이 공급되는 한 저장된 데이터가 사라지지 않습니다.
- 쓰기/지우기 속도가 빠릅니다.
- 회로가 복잡하고 가격이 비쌉니다
- 메모리 용량이 작습니다.
- 속도는 빠르지만 용량이 작기 때문에 CPU의 캐시메모리와 같이 속도가 중요한 곳에 사용됩니다.
DRAM(Dtnamic RAM)
: 동적 메모리. capacitor를 사용하는 RAM
- capacitor는 시간이 지남에 따라 스스로 방전되기 때문에 전력이 계속 공급되더라도 시간이 지나면 저장된 데이터가 사라집니다.
-> 저장된 데이터를 유지하기 위해 일정 시간마다 refresh 회로에 refresh 신호를 줘야 합니다.
(빠져나간 전하를 채우는 과정)
- 회로가 단순하고 가격이 저렴합니다.
- 메모리 용량이 큽니다.
- 속도는 느리지만 용량이 크기 때문에 컴퓨터, 핸드폰의 메모리와 같이 일반적인 데이터를 저장하는 곳에 사용됩니다.
SDRAM(Synchronous DRAM)
: DRAM에 clock pulse를 동기화 시킨 RAM
- 시스템 clock에 맞게 메모리를 동작 시킬 수 있습니다.
- 1 clock 당 1개의 데이터를 쓰거나 지우는 구조로 되어있습니다.
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)
: SDRAM보다 2배 빠르게 동작하는 RAM
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